PFF2N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PFF2N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PFF2N60 datasheet

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PFF2N60

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60 The Silicon System Solutions Company www.DataSheet4U.com PRELIMINARY N-Channel MOSFET Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power LCD Panel Power VDSS RDS(ON) typical ID Features 600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering In

Otros transistores... HY4306A, MDF1723, ME4410AD, ME4970, ME4970G, NDP04N60Z, PDEC3907Z, PFB2N60, 4N60, SI4947ADY, STD180N4F6, SUP65P06-20, SUB65P06-20, SVD3205T, SVF12N65F, SVF12N65T, TSP50N06M