PFF2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PFF2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de PFF2N60 MOSFET
PFF2N60 Datasheet (PDF)
pfb2n60 pff2n60.pdf

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60The Silicon System Solutions Companywww.DataSheet4U.comPRELIMINARYN-Channel MOSFETApplications:Adaptor ChargerSMPS Standby PowerLCD Panel PowerVDSS RDS(ON) typical IDFeatures:600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesOrdering In
Otros transistores... HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , PDEC3907Z , PFB2N60 , 10N65 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SVF12N65T , TSP50N06M .
History: TSF65R300S1 | HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | 2SK65
History: TSF65R300S1 | HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | 2SK65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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