Справочник MOSFET. PFF2N60

 

PFF2N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PFF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для PFF2N60

 

 

PFF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  1
 pfb2n60 pff2n60.pdf

PFF2N60 PFF2N60

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60The Silicon System Solutions Companywww.DataSheet4U.comPRELIMINARYN-Channel MOSFETApplications:Adaptor ChargerSMPS Standby PowerLCD Panel PowerVDSS RDS(ON) typical IDFeatures:600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesOrdering In

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top