Справочник MOSFET. PFF2N60

 

PFF2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PFF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PFF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  1
pfb2n60 pff2n60.pdfpdf_icon

PFF2N60

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60The Silicon System Solutions Companywww.DataSheet4U.comPRELIMINARYN-Channel MOSFETApplications:Adaptor ChargerSMPS Standby PowerLCD Panel PowerVDSS RDS(ON) typical IDFeatures:600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesOrdering In

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.