FDA44N50 Todos los transistores

 

FDA44N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA44N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 750 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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FDA44N50 datasheet

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FDA44N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDA44N50 FEATURES With TO-3PN packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate

Otros transistores... FCP125N60E , FCP165N60E , FCP260N65S3 , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , AON7403 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 .

History: HFD8N65U

 

 

 


 
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