FDA44N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDA44N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDA44N50 Datasheet (PDF)
fda44n50.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDA44N50FEATURESWith TO-3PN packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: CS5N100P | RU30106L | ME80N08A-G | STN4392 | DMN2029USD | SI1021R | SSM6K407TU
History: CS5N100P | RU30106L | ME80N08A-G | STN4392 | DMN2029USD | SI1021R | SSM6K407TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885