FDA44N50 - описание и поиск аналогов

 

FDA44N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDA44N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для FDA44N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA44N50 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 fda44n50.pdf pdf_icon

FDA44N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDA44N50 FEATURES With TO-3PN packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V Gate

Другие MOSFET... FCP125N60E , FCP165N60E , FCP260N65S3 , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , AON7403 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 .

History: SPD50N06S2-14 | WML36N60F2 | WML071N15HG2 | 2SK3065T100 | NTTFS4C13N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.