FDA44N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDA44N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDA44N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FDA44N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA44N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 fda44n50.pdf pdf_icon

FDA44N50

isc N-Channel MOSFET Transistor FDA44N50FEATURESWith TO-3PN packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gate

Другие MOSFET... FCP125N60E , FCP165N60E , FCP260N65S3 , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , HY1906P , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 .

History: BSZ0501NSI | AP4509AGH-HF | LRC6N33YT1G | DG840F | AP3990I | R6035ENZ | WMN22N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.