FDP8D5N10C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP8D5N10C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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FDP8D5N10C Datasheet (PDF)

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www.onsemi.comFDP8D5N10C / FDPF8D5N10CN-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 76 A, 8.5 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 8.5 m at VGS = 10 V, ID = 76 ASemiconductors advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrrincorporates Shielded Gate technology. This process has been

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isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8D5N10CFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: