FDP8D5N10C - описание и поиск аналогов

 

FDP8D5N10C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP8D5N10C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FDP8D5N10C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP8D5N10C даташит

 ..1. Size:969K  1
 fdp8d5n10c fdpf8d5n10c.pdf pdf_icon

FDP8D5N10C

www.onsemi.com FDP8D5N10C / FDPF8D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 76 A, 8.5 m Features General Description This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 8.5 m at VGS = 10 V, ID = 76 A Semiconductor s advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr incorporates Shielded Gate technology. This process has been

 ..2. Size:969K  onsemi
 fdp8d5n10c fdpf8d5n10c.pdf pdf_icon

FDP8D5N10C

www.onsemi.com FDP8D5N10C / FDPF8D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 76 A, 8.5 m Features General Description This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 8.5 m at VGS = 10 V, ID = 76 A Semiconductor s advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr incorporates Shielded Gate technology. This process has been

 ..3. Size:257K  inchange semiconductor
 fdp8d5n10c.pdf pdf_icon

FDP8D5N10C

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8D5N10C FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

Другие MOSFET... FCP260N65S3 , FCP850N80Z , FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , EMB04N03H , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 .

History: APTC90H12SCTG | TK72E08N1 | FCH099N65S3 | RTU002P02 | NTR4101P | 2SK3090K | 2SK768

 

 

 

 

↑ Back to Top
.