FMW60N190S2HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMW60N190S2HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMW60N190S2HF

FMW60N190S2HF Datasheet (PDF)

..1. Size:231K inchange semiconductor
fmw60n190s2hf.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HFFEATURESWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

8.1. Size:331K inchange semiconductor
fmw60n070s2hf.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HFFEATURESDrain Current : I = 53.2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dri

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: