FMW60N190S2HF Todos los transistores

 

FMW60N190S2HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMW60N190S2HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-247

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FMW60N190S2HF datasheet

 ..1. Size:231K  inchange semiconductor
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FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HF FEATURES With low gate drive requirements Low switching loss Low on-state resistance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

 8.1. Size:331K  inchange semiconductor
fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HF FEATURES Drain Current I = 53.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dri

Otros transistores... FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , MMIS60R580P , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 .

History: SRC60R075BS | KHB8D8N25F | 2SJ360

 

 

 


History: SRC60R075BS | KHB8D8N25F | 2SJ360

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