FMW60N190S2HF - описание и поиск аналогов

 

FMW60N190S2HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMW60N190S2HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для FMW60N190S2HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMW60N190S2HF даташит

 ..1. Size:231K  inchange semiconductor
 fmw60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HF FEATURES With low gate drive requirements Low switching loss Low on-state resistance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

 8.1. Size:331K  inchange semiconductor
 fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HF FEATURES Drain Current I = 53.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dri

Другие MOSFET... FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , MMIS60R580P , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.