FMW60N190S2HF - аналоги и даташиты транзистора

 

FMW60N190S2HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMW60N190S2HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FMW60N190S2HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMW60N190S2HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  inchange semiconductor
 fmw60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HFFEATURESWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

 8.1. Size:331K  inchange semiconductor
 fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HFFEATURESDrain Current : I = 53.2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dri

Другие MOSFET... FCPF067N65S3 , FCPF150N65F , FCPF165N65S3L1 , FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , STP65NF06 , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 .

History: MCB160N10Y | AP4438CGM

 

 
Back to Top

 


 
.