IPI147N12N3 Todos los transistores

 

IPI147N12N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPI147N12N3
   Código: 147N12N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 56 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 37 nC
   Tiempo de subida (tr): 9 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 304 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0147 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

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IPI147N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:771K  infineon
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf

IPI147N12N3
IPI147N12N3

IPB144N12N3 GIPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6=R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n)I DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 RD n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH

 ..2. Size:270K  inchange semiconductor
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IPI147N12N3
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPI147N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 14.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 9.1. Size:348K  infineon
ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf

IPI147N12N3
IPI147N12N3

IPB14N03LAIPI14N03LA, IPP14N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 13.6mDS(on),max N-channelI 30 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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