IPI147N12N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI147N12N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 304 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0147 Ohm
Encapsulados: TO-262
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IPI147N12N3 datasheet
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf
IPB144N12N3 G IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n) I D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R D n) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH
ipi147n12n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPI147N12N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14.7m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
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History: P0260EI
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