IPI147N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI147N12N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 304 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0147 Ohm
Тип корпуса: TO-262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPI147N12N3 Datasheet (PDF)
ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf

IPB144N12N3 GIPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6=R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n)I DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 RD n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH
ipi147n12n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI147N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 14.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf

IPB14N03LAIPI14N03LA, IPP14N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 13.6mDS(on),max N-channelI 30 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: OSG70R350PF | SIHG47N60S | NCE60N390F | HGI110N08AL | IRLML0030TRPBF | IRFH8318PBF | 9N95
History: OSG70R350PF | SIHG47N60S | NCE60N390F | HGI110N08AL | IRLML0030TRPBF | IRFH8318PBF | 9N95



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor