IPI200N25N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI200N25N3
Código: 200N25N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 64 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 64 nC
Tiempo de elevación (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 297 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-262
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IPI200N25N3 Datasheet (PDF)
1.1. ipb200n25n3-g ipp200n25n3-g ipi200n25n3-g.pdf 
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IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 64 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application
3.1. ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf Size:993K _infineon
IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS™3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for t
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