IPI200N25N3 Todos los transistores

 

IPI200N25N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI200N25N3

Código: 200N25N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 64 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 64 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 297 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-262

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IPI200N25N3 Datasheet (PDF)

1.1. ipb200n25n3-g ipp200n25n3-g ipi200n25n3-g.pdf Size:758K _infineon

IPI200N25N3
IPI200N25N3

IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 64 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application

3.1. ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf Size:993K _infineon

IPI200N25N3
IPI200N25N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS™3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for t

 

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