Справочник MOSFET. IPI200N25N3

 

IPI200N25N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPI200N25N3

Маркировка: 200N25N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 64 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 297 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IPI200N25N3

 

 

IPI200N25N3 Datasheet (PDF)

1.1. ipb200n25n3-g ipp200n25n3-g ipi200n25n3-g.pdf Size:758K _infineon

IPI200N25N3
IPI200N25N3

IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 64 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application

3.1. ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf Size:993K _infineon

IPI200N25N3
IPI200N25N3

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS™3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V • N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for t

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top