IPI26CN10N Todos los transistores

 

IPI26CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI26CN10N

Código: 26CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 35 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 232 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-262

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IPI26CN10N Datasheet (PDF)

1.1. ipb26cn10n-g ipd25cn10n-g ipi26cn10n-g ipp26cn10n-g ipu25cn10n-g.pdf Size:707K _infineon

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IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 25 mΩ DS(on),max (TO252) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 35 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified accordi

1.2. ipi26cn10n.pdf Size:256K _inchange_semiconductor

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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPI26CN10N ·FEATURES ·With To-262 package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 1

 

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