Справочник MOSFET. IPI26CN10N

 

IPI26CN10N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPI26CN10N

Маркировка: 26CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 35 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 23 nC

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 232 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IPI26CN10N

 

 

IPI26CN10N Datasheet (PDF)

1.1. ipb26cn10n-g ipd25cn10n-g ipi26cn10n-g ipp26cn10n-g ipu25cn10n-g.pdf Size:707K _infineon

IPI26CN10N
IPI26CN10N

IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 25 mΩ DS(on),max (TO252) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 35 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified accordi

1.2. ipi26cn10n.pdf Size:256K _inchange_semiconductor

IPI26CN10N
IPI26CN10N

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPI26CN10N ·FEATURES ·With To-262 package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 1

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top