IPI530N15N3 Todos los transistores

 

IPI530N15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI530N15N3

Código: 530N15N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 68 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 8.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.053 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-262

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IPI530N15N3 Datasheet (PDF)

1.1. ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf Size:983K _infineon

IPI530N15N3
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1.2. ipi530n15n3.pdf Size:287K _inchange_semiconductor

IPI530N15N3
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPI530N15N3 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤53mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMB

 

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