Справочник MOSFET. IPI530N15N3

 

IPI530N15N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPI530N15N3

Маркировка: 530N15N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.7 nC

Время нарастания (tr): 9 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.053 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IPI530N15N3

 

 

IPI530N15N3 Datasheet (PDF)

1.1. ipb530n15n3 ipb530n15n3g ipi530n15n3g ipd530n15n3g ipp530n15n3g.pdf Size:983K _infineon

IPI530N15N3 IPI530N15N3

 # ! ! # ! ! # ! ! ## ! ! TM #:A0< &<,9=4=>:< #<:/?.> %?88,2= =6G6= 5 m DS(on) max R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E !) ' DS(on) 21 A D R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 DS(on) R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E #2=@86? !C66 1) R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@? R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:

1.2. ipi530n15n3.pdf Size:287K _inchange_semiconductor

IPI530N15N3 IPI530N15N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI530N15N3 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤53mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMB

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top