HY3306P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3306P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 621 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Encapsulados: TO220
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HY3306P datasheet
hy3306p hy3306b.pdf
HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET
hy3306p hy3306b.pdf
HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications Portable equipment and battery powered systems Synchronous rectification N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code
Otros transistores... IRFSL7762 , IRFSL7787 , IRFU430A , 12N65KL-TA , 12N65KL-TQ , 12N65KG-TA , 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , 4435 , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M .
History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3
History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3
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