Справочник MOSFET. HY3306P

 

HY3306P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3306P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 621 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY3306P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3306P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4015K  1
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306P

HY3306P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/130ARDS(ON)= 5.4 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

 ..2. Size:948K  hymexa
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306P

HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications Portable equipment and battery powered systems Synchronous rectification N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие MOSFET... IRFSL7762 , IRFSL7787 , IRFU430A , 12N65KL-TA , 12N65KL-TQ , 12N65KG-TA , 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , 2SK3568 , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M .

History: SFS06R013UGF

 

 
Back to Top

 


 
.