Справочник MOSFET. HY3306P

 

HY3306P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3306P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 621 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3306P

 

 

HY3306P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4015K  1
 hy3306p hy3306b.pdf

HY3306P HY3306P

HY3306P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/130ARDS(ON)= 5.4 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

 ..2. Size:948K  hymexa
 hy3306p hy3306b.pdf

HY3306P HY3306P

HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications Portable equipment and battery powered systems Synchronous rectification N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top