HY3306P - описание и поиск аналогов

 

HY3306P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY3306P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 621 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY3306P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3306P даташит

 ..1. Size:4015K  1
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306P

HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET

 ..2. Size:948K  hymexa
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306P

HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications Portable equipment and battery powered systems Synchronous rectification N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Другие MOSFET... IRFSL7762 , IRFSL7787 , IRFU430A , 12N65KL-TA , 12N65KL-TQ , 12N65KG-TA , 12N65KG-TF , 12N65KG-TQ , 4435 , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.