MT3203 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT3203
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 56 nC
Tiempo de subida (tr): 128 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 464 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MT3203
MT3203 Datasheet (PDF)
mt3203.pdf
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MOS-TECH Semiconductor Co.,LTDN MT3203N-Channel Low Qg MOSFET30V, 100A, 3.3mGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to rDS(ON) = 3.3m, VGS = 10V, ID = 40Aimprove the overall efficiency of DC/ DC converters using rDS(ON) = 4.5m, VGS = 4.5V, ID = 40Aeither synchronous or conven tional swit ching PWMcontro
mt3205.pdf
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MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Mar 2010MT3205N-Channel Power MOSFET 55V, 110A, 7.2mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using MOS-TECH Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize
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