MT3203 Todos los transistores

 

MT3203 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MT3203
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 128 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 464 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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MT3203 Datasheet (PDF)

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MT3203

MOS-TECH Semiconductor Co.,LTDN MT3203N-Channel Low Qg MOSFET30V, 100A, 3.3mGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to rDS(ON) = 3.3m, VGS = 10V, ID = 40Aimprove the overall efficiency of DC/ DC converters using rDS(ON) = 4.5m, VGS = 4.5V, ID = 40Aeither synchronous or conven tional swit ching PWMcontro

 9.1. Size:915K  no
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MT3203

MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Mar 2010MT3205N-Channel Power MOSFET 55V, 110A, 7.2mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using MOS-TECH Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize

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History: HM30N10K | IRL3803VPBF | SM2558NSUC | SRM7N60 | TSM6N50CP | SISA01DN | IPA040N06N

 

 
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