MT3203 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MT3203
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
Время нарастания (tr): 128 ns
Выходная емкость (Cd): 464 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
MT3203 Datasheet (PDF)
mt3203.pdf
MOS-TECH Semiconductor Co.,LTDN MT3203N-Channel Low Qg MOSFET30V, 100A, 3.3mGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to rDS(ON) = 3.3m, VGS = 10V, ID = 40Aimprove the overall efficiency of DC/ DC converters using rDS(ON) = 4.5m, VGS = 4.5V, ID = 40Aeither synchronous or conven tional swit ching PWMcontro
mt3205.pdf
MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD Mar 2010MT3205N-Channel Power MOSFET 55V, 110A, 7.2mFeatures Description RDS(on) = 6.1m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 59A This N-Channel MOSFET is produced using MOS-TECH Semiconductors advanced PowerTrench process that has High performance trench technology for extermly low RDS(on) been especially tailored to minimize
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
