SVF5N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF5N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SVF5N60F MOSFET
SVF5N60F Datasheet (PDF)
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SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.
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SVF5N60T/F/D/MJ 5A600V N 2SVF5N60T/F/D/MJ NMOSF-CellTMVDMOS 1 TO-252-2L3
svf5n60f svf5n60dtr svf5n60k.pdf
SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.
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History: APT50M50L2FLL | 2SK1180 | SI25N10 | NCEP6090 | IRF8910GPBF | SC8205
History: APT50M50L2FLL | 2SK1180 | SI25N10 | NCEP6090 | IRF8910GPBF | SC8205
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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