SVF5N60F datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF5N60F 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF5N60F даташит

..1. Size:528K 1
svf5n60t svf5n60f svf5n60d svf5n60mj.pdf pdf_icon

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

..2. Size:563K silan
svf5n60f svf5n60d svf5n60k.pdf pdf_icon