CSD40N70 Todos los transistores

 

CSD40N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSD40N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO252

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CSD40N70 datasheet

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CSD40N70

CSD40N70 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CSD40N70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDS = 40V,ID =60A R

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CSD40N70

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSD401 CSD401 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Complementary CSB546 TV Vertical Deflection Output Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83 D0.90 E 1.15 1.40 1

Otros transistores... SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , NCEP15T14 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P .

History: DMP2022LSS

 

 

 

 

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