CSD40N70 - описание и поиск аналогов

 

CSD40N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD40N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CSD40N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD40N70 даташит

 ..1. Size:825K  1
 csd40n70.pdf pdf_icon

CSD40N70

CSD40N70 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CSD40N70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDS = 40V,ID =60A R

 9.1. Size:376K  cdil
 csd401.pdf pdf_icon

CSD40N70

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSD401 CSD401 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Complementary CSB546 TV Vertical Deflection Output Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83 D0.90 E 1.15 1.40 1

Другие MOSFET... SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , NCEP15T14 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P .

History: 2SK1500

 

 

 

 

↑ Back to Top
.