FTD06N03NA Todos los transistores

 

FTD06N03NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD06N03NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 356 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FTD06N03NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  1
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FTD06N03NA

FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati

 8.1. Size:365K  ark-micro
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FTD06N03NA

FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO: QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications GG High Efficiency SMPS DSGS Adaptor/Charger DS Active PFC To-252

Otros transistores... TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , IRF1407 , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH .

History: RF4C050AP | FDBL9403F085 | SSF5N60G | FHF15N60A | KMB054N40DC | MTA65N20H8 | STM8500A

 

 
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