FTD06N03NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTD06N03NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 356 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTD06N03NA

FTD06N03NA Datasheet (PDF)

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ftd06n03na.pdf

FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati

8.1. Size:365K ark-micro
ftu06n70c ftd06n70c.pdf

FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO: QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications GG High Efficiency SMPS DSGS Adaptor/Charger DS Active PFC To-252

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Liste

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