FTD06N03NA - описание и поиск аналогов

 

FTD06N03NA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD06N03NA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для FTD06N03NA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD06N03NA даташит

 ..1. Size:234K  1
 ftd06n03na.pdf pdf_icon

FTD06N03NA

FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati

 8.1. Size:365K  ark-micro
 ftu06n70c ftd06n70c.pdf pdf_icon

FTD06N03NA

FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications G G High Efficiency SMPS D S G S Adaptor/Charger D S Active PFC To-252

Другие MOSFET... TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , IRFP450 , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.