FTD06N03NA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FTD06N03NA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 356 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FTD06N03NA
FTD06N03NA Datasheet (PDF)
ftd06n03na.pdf
FTD06N03NA N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon ID Package VDSS RDS(ON)(Typ.) Charger limited current limited SMPS 30V 3.6m 90A 60A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Informati
ftu06n70c ftd06n70c.pdf
FTU06N70C/FTD06N70C Doc. NO: QRD-310 700V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features 700V 1.8 6.0A Low ON Resistance Low Gate Charge Fast Switching 100% Avalanche Tested D RoHS Compliant/Lead Free Halogen-free available Applications GG High Efficiency SMPS DSGS Adaptor/Charger DS Active PFC To-252
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
