GPT18N50GN247 Todos los transistores

 

GPT18N50GN247 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPT18N50GN247
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

GPT18N50GN247 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1493K  1
 gpt18n50g gpt18n50dg.pdf pdf_icon

GPT18N50GN247

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D

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History: WML90R360S | AO4914 | SIR496DP | SSH8N55 | BFC23 | SFD082N68C2 | IRFR9220

 

 
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