Справочник MOSFET. GPT18N50GN247

 

GPT18N50GN247 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GPT18N50GN247
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для GPT18N50GN247

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT18N50GN247 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1493K  1
 gpt18n50g gpt18n50dg.pdf pdf_icon

GPT18N50GN247

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D

Другие MOSFET... AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , P60NF06 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 .

History: IRF621FI | STP310N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.