Справочник MOSFET. GPT18N50GN247

 

GPT18N50GN247 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GPT18N50GN247
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 69.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT18N50GN247 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:1493K  1
 gpt18n50g gpt18n50dg.pdf pdf_icon

GPT18N50GN247

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB09N03LA | AP4604IN | 2SK1471 | IRL8113LPBF | 2SK1637 | IRLSZ34A | STD14NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.