HY1001P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1001P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1001P

HY1001P Datasheet (PDF)

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hy1001p.pdf

HY1001M/PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures 70V/75A,GRDS(ON)=7.8m (typ.) @ VGS=10VSDDS Avalanche RatedG Reliable and RuggedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP : TO220-3LP Date CodeYYWWHY1001

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