HY1001P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HY1001P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 105 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 83 nC
   Tiempo de subida (tr): 15.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HY1001P

HY1001P Datasheet (PDF)

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hy1001p.pdf

HY1001M/PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures 70V/75A,GRDS(ON)=7.8m (typ.) @ VGS=10VSDDS Avalanche RatedG Reliable and RuggedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP : TO220-3LP Date CodeYYWWHY1001

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HGA100N12S

Liste

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