HY1001P - описание и поиск аналогов

 

HY1001P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY1001P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY1001P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1001P даташит

 ..1. Size:1041K  1
 hy1001p.pdf pdf_icon

HY1001P

HY1001M/P N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features 70V/75A, G RDS(ON)=7.8m (typ.) @ VGS=10V S D D S Avalanche Rated G Reliable and Rugged TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications G Power Management for Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P TO220-3L P Date Code YYWW HY1001

Другие MOSFET... CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , 4N60 , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 .

History: BUK457-400A | 2SJ0582 | AP3N2R8H | 15N05 | 2SK2975 | JMH65R600MK | NCE60R360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.