Справочник MOSFET. HY1001P

 

HY1001P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1001P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY1001P

 

 

HY1001P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1041K  1
 hy1001p.pdf

HY1001P HY1001P

HY1001M/PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures 70V/75A,GRDS(ON)=7.8m (typ.) @ VGS=10VSDDS Avalanche RatedG Reliable and RuggedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP : TO220-3LP Date CodeYYWWHY1001

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top