HY3610P Todos los transistores

 

HY3610P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3610P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 996 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HY3610P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1128K  1
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HY3610P

HY3610PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/160ARDS(ON)= 4.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche testedGD Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D(RoHS Compliant)ApplicationsGSwitching application Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP

Otros transistores... CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , STF13NM60N , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG .

History: DH150N12D | STD16NF06L | PSMN3R3-80ES | GSM2308 | APT8020LLLG | SPA11N80C3

 

 
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