HY3610P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3610P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 380 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 201 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 996 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
HY3610P Datasheet (PDF)
..1. Size:1128K 1
hy3610p.pdf
hy3610p.pdf
HY3610PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/160ARDS(ON)= 4.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche testedGD Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D(RoHS Compliant)ApplicationsGSwitching application Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
