Справочник MOSFET. HY3610P

 

HY3610P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3610P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 380 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 201 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 996 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3610P

 

 

HY3610P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1128K  1
hy3610p.pdf

HY3610P HY3610P

HY3610PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/160ARDS(ON)= 4.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche testedGD Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D(RoHS Compliant)ApplicationsGSwitching application Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top