HY3610P - описание и поиск аналогов

 

HY3610P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY3610P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 996 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HY3610P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3610P даташит

 ..1. Size:1128K  1
 hy3610p.pdf pdf_icon

HY3610P

HY3610P N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/160A RDS(ON)= 4.5 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested G D Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Switching application Power Management for Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code P

Другие MOSFET... CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , IRFP250 , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG .

History: DMP2004VK | SSI65R360S2 | AP3P010H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.