Справочник MOSFET. HY3610P

 

HY3610P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3610P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 201 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 996 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3610P

 

 

HY3610P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1128K  1
 hy3610p.pdf

HY3610P HY3610P

HY3610PN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/160ARDS(ON)= 4.5 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche testedGD Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D(RoHS Compliant)ApplicationsGSwitching application Power Management for Inverter Systems.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeP

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top