PFP13N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PFP13N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 240 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 47.5 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.51 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PFP13N60
PFP13N60 Datasheet (PDF)
pfp13n60 pff13n60.pdf
Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.)
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