PFP13N60 Todos los transistores

 

PFP13N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PFP13N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PFP13N60 Datasheet (PDF)

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PFP13N60

Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.)

Otros transistores... ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , 2N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 .

History: FQN1N50CBU | HMS8N70D | APT8018L2VFRG | IRF7459 | DMTH10H005SCT | INK0210AC1 | BSZ42DN25NS3G

 

 
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