Справочник MOSFET. PFP13N60

 

PFP13N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PFP13N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PFP13N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PFP13N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1324K  1
 pfp13n60 pff13n60.pdf pdf_icon

PFP13N60

Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.)

Другие MOSFET... ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , 2N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 .

History: WMN05N100C2 | SFS2955 | SI5403DC | HFR1N60 | JCS9N50CC | TPC6201 | HYG045N03LA1C1

 

 
Back to Top

 


 
.