PFF13N60 Todos los transistores

 

PFF13N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PFF13N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de PFF13N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PFF13N60 datasheet

 ..1. Size:1324K  1
 pfp13n60 pff13n60.pdf pdf_icon

PFF13N60

Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge 48 nC (Typ.)

Otros transistores... JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , IRF520 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G .

History: IRF7304PBF-1 | S2N7002K | NCE60R360F | RTR025N05FRA | SGM3055

 

 

 

 

↑ Back to Top
.