PFF13N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PFF13N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de PFF13N60 MOSFET
PFF13N60 Datasheet (PDF)
pfp13n60 pff13n60.pdf

Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.)
Otros transistores... JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , STF13NM60N , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G .
History: CM20N60 | B640 | AP02N90J-HF | HCFL60R115 | 2SK2939S | AP4028EJB
History: CM20N60 | B640 | AP02N90J-HF | HCFL60R115 | 2SK2939S | AP4028EJB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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