PFF13N60 - описание и поиск аналогов

 

PFF13N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PFF13N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для PFF13N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PFF13N60 даташит

 ..1. Size:1324K  1
 pfp13n60 pff13n60.pdf pdf_icon

PFF13N60

Feb 2009 PFP13N60/PFF13N60 FEATURES 600V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 600 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) = 0.51 Unequalled Gate Charge 48 nC (Typ.)

Другие MOSFET... JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , IRF520 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G .

History: JMSH0606AG | WMQ37N03T1 | S2N7002K | ME9435 | MEE4298T | H10N65P | HY3410MF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.