SVD730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD730F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVD730F
SVD730F Datasheet (PDF)
svd730d svd730f svd730t.pdf
SVD730D/F/T_Datasheet 5.5A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD730D/F/T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
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Liste
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