Справочник MOSFET. SVD730F

 

SVD730F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVD730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVD730F

 

 

SVD730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  1
 svd730d svd730f svd730t.pdf

SVD730F SVD730F

SVD730D/F/T_Datasheet 5.5A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD730D/F/T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPW65R080CFDA

 

 
Back to Top