Справочник MOSFET. SVD730F

 

SVD730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVD730F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  1
 svd730d svd730f svd730t.pdf pdf_icon

SVD730F

SVD730D/F/T_Datasheet 5.5A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD730D/F/T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

Другие MOSFET... KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , AON6380 , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 .

History: RUH120N90R | IRFS31N20DP | FDME430NT

 

 
Back to Top

 


 
.