TTK2837 Todos los transistores

 

TTK2837 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTK2837
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P SC65
 

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TTK2837 Datasheet (PDF)

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TTK2837

TTK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TTK2837 Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V,

Otros transistores... PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , IRF520 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U .

History: IRFS11N50A | NTTFS1D2N02P1E | IRLIZ24NPBF | RUH1H150S | ME2308DN-G | KHB8D8N25F | HYG400P10LR1D

 

 
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