Справочник MOSFET. TTK2837

 

TTK2837 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTK2837
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO3P SC65
 

 Аналог (замена) для TTK2837

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTK2837 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  1
 ttk2837.pdf pdf_icon

TTK2837

TTK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TTK2837 Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V,

Другие MOSFET... PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , IRF520 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U .

History: SFD025N30C2 | PSP06N40 | STP18N60DM2 | PTP4N65 | VBZMB20N65 | IRFPS59N60C

 

 
Back to Top

 


 
.