DG4N65-TO252 Todos los transistores

 

DG4N65-TO252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG4N65-TO252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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DG4N65-TO252 Datasheet (PDF)

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DG4N65-TO252
DG4N65-TO252

DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N

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dg4n60.pdf

DG4N65-TO252
DG4N65-TO252

DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N

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