DG4N65-TO252 Todos los transistores

 

DG4N65-TO252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG4N65-TO252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DG4N65-TO252

 

DG4N65-TO252 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1254K  1
dg4n65.pdf

DG4N65-TO252
DG4N65-TO252

DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N

 9.1. Size:1358K  1
dg4n60.pdf

DG4N65-TO252
DG4N65-TO252

DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK1007-01

 

 
Back to Top

 


History: 2SK1007-01

DG4N65-TO252
  DG4N65-TO252
  DG4N65-TO252
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top