DG4N65-TO252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DG4N65-TO252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 58 ns
Выходная емкость (Cd): 59 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DG4N65-TO252
DG4N65-TO252 Datasheet (PDF)
8.1. Size:1254K 1
dg4n65.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dg4n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N
9.1. Size:1358K 1
dg4n60.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
dg4n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: DMT4N65