CRTS084NE6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRTS084NE6N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 292 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de CRTS084NE6N MOSFET
CRTS084NE6N Datasheet (PDF)
crts084ne6n.pdf
CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
crts084ne6n.pdf
CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
crts030n04l.pdf
CRTS030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.8m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con
crts095n12n.pdf
CRTS095N12N() Trench N-MOSFET 120V, 7m, 112AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID112A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch
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