CRTS084NE6N - описание и поиск аналогов

 

CRTS084NE6N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTS084NE6N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CRTS084NE6N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTS084NE6N даташит

 ..1. Size:485K  1
crts084ne6n.pdfpdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 6.8m , 83A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 83A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

 ..2. Size:485K  crhj
crts084ne6n.pdfpdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 6.8m , 83A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 83A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

 9.1. Size:573K  crhj
crts030n04l.pdfpdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS030N04L ( ) Trench N-MOSFET 40V, 2.8m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor con

 9.2. Size:496K  crhj
crts095n12n.pdfpdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS095N12N ( ) Trench N-MOSFET 120V, 7m , 112A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 112A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch

Другие MOSFET... JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH , S68N08R , S68N08S , SVF10N65F , SVF10N65T , STD448S , IRF3205 , HY3210P , HY3210M , HY3210B , HY3210PS , HY3210PM , JCS8N60S , JCS8N60B , JCS8N60C .

History: OSG65R380FEF | 2SK3111-ZJ | SFF054 | SWB090R08ET | APT5014BLLG | AP95T07AGP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.