Справочник MOSFET. CRTS084NE6N

 

CRTS084NE6N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRTS084NE6N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CRTS084NE6N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTS084NE6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  1
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 ..2. Size:485K  crhj
 crts084ne6n.pdf pdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 9.1. Size:573K  crhj
 crts030n04l.pdf pdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.8m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

 9.2. Size:496K  crhj
 crts095n12n.pdf pdf_icon

CRTS084NE6N

CRTS095N12N() Trench N-MOSFET 120V, 7m, 112AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID112A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH , S68N08R , S68N08S , SVF10N65F , SVF10N65T , STD448S , IRF3205 , HY3210P , HY3210M , HY3210B , HY3210PS , HY3210PM , JCS8N60S , JCS8N60B , JCS8N60C .

History: ISCNH376L

 

 
Back to Top

 


 
.