Справочник MOSFET. CRTS084NE6N

 

CRTS084NE6N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CRTS084NE6N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 111 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 83 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
   Время нарастания (tr): 75 ns
   Выходная емкость (Cd): 292 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CRTS084NE6N

 

 

CRTS084NE6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  1
crts084ne6n.pdf

CRTS084NE6N
CRTS084NE6N

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 ..2. Size:485K  crhj
crts084ne6n.pdf

CRTS084NE6N
CRTS084NE6N

CRTS084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 6.8m, 83AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID83A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

 9.1. Size:573K  crhj
crts030n04l.pdf

CRTS084NE6N
CRTS084NE6N

CRTS030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.8m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.8m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

 9.2. Size:496K  crhj
crts095n12n.pdf

CRTS084NE6N
CRTS084NE6N

CRTS095N12N() Trench N-MOSFET 120V, 7m, 112AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID112A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top