HY3210B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HY3210B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 237 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 120 nC
Tiempo de elevación (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 902 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
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HY3210B Datasheet (PDF)
0.1. hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf 
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HY3210P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionF eatures 100V/120ARDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10VS DS100% avalanche testedD GGSD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
