HY3210B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3210B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 237 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 902 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HY3210B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3210B даташит

 ..1. Size:4740K  1
 hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf pdf_icon

HY3210B

HY3210P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/120A RDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10V S D S 100% avalanche tested D G G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-3PS-

 ..2. Size:4740K  hymexa
 hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf pdf_icon

HY3210B

HY3210P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/120A RDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10V S D S 100% avalanche tested D G G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-3PS-

 ..3. Size:390K  hymexa
 hy3210p hy3210b.pdf pdf_icon

HY3210B

HY3210P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/120A RDS(ON)=6.8m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package C

 9.1. Size:1565K  1
 hy3215w.pdf pdf_icon

HY3210B

HY3215W N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/130A RDS(ON)=11.5m (typ.)@VGS =10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available S (RoHS Compliant) D G TO-247A-3L Applications Brushless Motor Drive Electric Power Steering N Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code W W T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... S68N08R, S68N08S, SVF10N65F, SVF10N65T, STD448S, CRTS084NE6N, HY3210P, HY3210M, 20N60, HY3210PS, HY3210PM, JCS8N60S, JCS8N60B, JCS8N60C, JCS8N60F, ME4953, SI4914DY