JCS8N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS8N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 54 nC
Tiempo de elevación (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220C
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS8N60C
JCS8N60C Datasheet (PDF)
0.1. jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf 
Size:616K _1
N RN-CHANNEL MOSFETJCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
