JCS8N60C Todos los transistores

 

JCS8N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS8N60C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 147 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 54 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220C

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS8N60C

 

JCS8N60C Datasheet (PDF)

0.1. jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf Size:616K _1

JCS8N60C
JCS8N60C

N RN-CHANNEL MOSFETJCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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