Справочник MOSFET. JCS8N60C

 

JCS8N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: JCS8N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 54 nC

Время нарастания (tr): 80 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220C

Аналог (замена) для JCS8N60C

 

 

JCS8N60C Datasheet (PDF)

0.1. jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf Size:616K _1

JCS8N60C
JCS8N60C

N RN-CHANNEL MOSFETJCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top