ME4953 Todos los transistores

 

ME4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 14 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4953

 

ME4953 Datasheet (PDF)

0.1. me4953.pdf Size:373K _1

ME4953
ME4953

ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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