Справочник MOSFET. ME4953

 

ME4953 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: ME4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 14 nC

Время нарастания (tr): 11 ns

Выходная емкость (Cd): 70 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4953

 

 

ME4953 Datasheet (PDF)

0.1. me4953.pdf Size:373K _1

ME4953
ME4953

ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top